一種顛覆性發明，重新定義DRAM - asiasworldcity.hk

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如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容編譯自tomshardware，謝謝。鐵電存儲器公司(FMC)已與Neumonda聯手在德國重新建立所謂的DRAM+生產。英飛凌和奇夢達在德國開發和生產動態隨機存取存儲器已有一段時間了，因爲在歐洲生產商品存儲器變得特別無利可圖。然而，新的FMC和Neumonda合資企業將專注於針對特定應用的非易失性FeRAM。FMC專注於存儲器，該存儲器使用鐵電氧化鉿(HfO?)來創建無需電源即可保留數據的DRAM+。該技術用非易失性電容器取代了DRAM中的典型電容器，在保持高性能的同時提高了能效和數據保留率。FMC認爲其存儲器可用於廣泛的應用，包括人工智能、汽車、消費、工業和醫療。較舊的FeRAM技術（通常使用鋯鈦酸鉛(PZT)作爲鐵電層）容量有限。大多數商用產品最多隻有幾兆字節，4MB或8MB相當常見。PZT無法隨着工藝節點的縮小而很好地擴展，並且與標準CMOS工藝的集成既困難又昂貴。因此，像1T1C（一箇晶體管，一箇電容器）這樣的單元結構比DRAM或NAND佔用更多的面積。轉向氧化鉿將改變遊戲規則。HfO?與CMOS兼容，可遠低於10nm，並可與現有的半導體製造工藝集成。因此，使用氧化鉿可實現更高的密度和性能，可能達到千兆位到千兆字節的範圍，使其更接近DRAM。FMC首席執行官ThomasRueckes解釋道：“FMC成立的目的是利用HfO2鐵電效應這一顛覆性發明來開發半導體存儲器。應用於DRAM後，DRAM電容器會變成低功耗、非易失性存儲設備，同時保持高DRAM性能，從而生產出適用於AI計算的顛覆性非易失性DRAM存儲器。由於我們的技術在市場上獨一無二，因此對我們的存儲器產品進行經濟高效的測試對於我們的產品供應至關重要。藉助Neumonda及其全新的測試方法，我們找到了可以幫助我們加快產品開發的合作伙伴。我們也很高興與Neumonda合作，因爲我們有着共同的願景，那就是讓存儲器重返歐洲。”Neumonda將通過諮詢和提供其先進測試系統Rhinoe、Octopus和Raptor的使用權來支持FMC。這些平臺專爲低成本、節能和獨立的內存測試而設計。Neumonda的系統提供傳統設備無法實現的詳細分析，並且成本顯著降低。兩家公司攜手合作，共同開發一款新型內存產品，併爲歐洲半導體產能的全面復甦奠定基礎。雙方共同努力旨在重建本地先進內存設計和測試生態系統。https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4089期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時專業原創深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦

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